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长江存储发布3DNAND存储芯片【鸭脖娱乐】

编辑:鸭脖娱乐 来源:鸭脖娱乐 创发布时间:2020-11-29阅读93830次
  本文摘要:相比之下,长江内存希望在两个不同的晶圆上为不同的工艺技术制造与非门阵列和与非门逻辑,然后将两个晶圆粘合在一起,进行额外的工艺步骤,通过金属过孔将内存阵列连接到逻辑。Xtacking架构旨在使与非门实现超快的I/O模块速度,最大限度地提高其存储器阵列的密度。

与非门

(微信官方账号:)周一,长江存储发布了其Xtacking架构的关键细节,该架构将作为其即将发布的3D NAND存储芯片。这项技术包括为两个晶圆构建与非门芯片:一个晶圆包含基于电荷陷阱架构的实际存储单元,另一个晶圆使用CMOS逻辑。传统上,与非门存储器的制造商使用单一工艺技术来生产存储器阵列和与非门逻辑(地址解码、页面缓冲等)。

)在一个晶片上。相比之下,长江内存希望在两个不同的晶圆上为不同的工艺技术制造与非门阵列和与非门逻辑,然后将两个晶圆粘合在一起,进行额外的工艺步骤,通过金属过孔将内存阵列连接到逻辑。Xtacking架构旨在使与非门实现超快的I/O模块速度,最大限度地提高其存储器阵列的密度。

长江存储回应称,其64层3D NAND芯片的I/O模块速度为3 Gbps,是三星近期V-NAND的两倍,是主流3D NAND慢三的两倍。理论上讲,I/O性能低会让SSD供应商需要制作更少NAND地下通道的更低容量SSD,影响性能,从而抵消高传输速率的较低并行性。此外,通过将主逻辑定位在与非门存储器阵列下,长江存储器响应封装架构允许最大化其3D与非门容量并最小化芯片尺寸。

存储器

长江存储之所以被称为长江存储,是因为存储密度的降低可以抵消逻辑晶圆的额外成本,可以降低两个300 mm晶圆的生产成本。像其他制造商一样,长江存储没有公开发布3D NAND的光刻节点,只是发布了XMC的工厂生产内存和逻辑。相比之下,外围逻辑晶片将用于180纳米工艺处理。

因为两个晶片都是用成熟的生产技术加工的,长江存储不需要很低的混合和给定覆盖区域的精度来将它们粘合在一起并形成点对点通孔。一般来说,储存颗粒的制造商倾向于将模具尺寸保持在较低水平,以提高竞争力和盈利能力。对于2D与非门来说,当涉及到一般的GB/MM指数时,它充满了复杂性和生产力。

晶圆

更小的芯片不会让晶圆成本集中在更好的芯片上,进而在成本方面胜出。随着晶片在化学气相沉积机上花费更多时间,3D NAND技术变得更加简单。

因此,晶圆厂加工的晶圆数量和晶圆本身的成本仍然是非常重要的指标。然而,对于长江存储这样的公司来说,通过将控制逻辑放入存储器阵列来最大化其与非门密度已经是足够和重要的了。Via:Anandtech原创文章,有允许也有禁止。

长江存储

以下是发布通知。


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